Qes to dobro� elektryczna g這郾ika. Jest to jeden z kilku podstawowych parametr闚 ka盥ego g這郾ika dynamicznego. Qes nale篡 do grupy parametr闚 Thiele-Smalla'a. Qes jest jednym z parametr闚 decyduj帷ych o konstrukcji (obj皻o嗆, strojenie) obud闚 g這郾ik闚 niskotonowych i 鈔edniotonowych.
W sensie fizycznym Qes okre郵a jak silne jest t逝mienie membrany przez uk豉d elektromagnetyczny g這郾ika. Im mniejsza jest warto嗆 Qes tym silniejsze jest t逝mienie membrany. T逝mienie elektryczne g這郾ika jest bezpo鈔ednim skutkiem wstecznej si造 elektromotorycznej powstaj帷ej pod wp造wem ruchu membrany (ang. back EMF).
Wz鏎 okre郵aj帷y warto嗆 Qes ma posta�:

Jak wida� silna jest zale積o嗆 Qes od wsp馧czynnika Bl (pole magnetyczne w szczelinie pomno穎ne przez d逝go嗆 przewodu cewki). Warto嗆 Qes jest odwrotnie proporcjonalna do kwadratu Bl. Qes jest proporcjonalne do warto軼i rezystancji - wi瘯sza rezystancja zmniejsza bowiem pr康 i w konsekwencji zmniejsza t逝mienie. Qes ro郾ie proporcjonalnie do pierwiastka masy membrany - im wi瘯sza jest poruszaj帷a si� masa tym trudniej j� st逝mi�. Qes maleje za� proporcjonalnie do pierwiastka podatno軼i zawieszenia g這郾ika - im wi瘯sza podatno嗆 zawieszenia, tym t逝mienie wymaga mniej si造.
W wi瘯szo軼i typowych g這郾ik闚 Qes jest znacznie mniejsze od Qms (dobro� wynikaj帷a z t逝mienia mechanicznego). Oznacza to, 瞠 t逝mienie ruchu membrany w przewa瘸j帷ej cz窷ci ma natur� elektryczn�, a nie mechaniczn�. W konsekwencji Qes w wi瘯szym stopniu decyduje o ca趾owitym t逝mieniu g這郾ika (Qts).
Warunkiem skutecznego t逝mienia elektrycznego g這郾ika jest mo磧iwo嗆 przep造wu pr康u przez cewk�. Tak wi璚 t逝mienie elektryczne nie wyst徙i przy rozwartych zaciskach g這郾ika. Typowe wzmacniacze maj� nisk� impedancj� wyj軼iow� co zapewnia wysokie t逝mienie elektryczne g這郾ik闚.