LTPS to skrót od angielskiego okre¶lenia low temperature poly-crystalline silicon, (niskotemperaturowy krzem polikrystaliczny). Krzem polikrystaliczny to materia³ z³o¿ony z ma³ych kryszta³ów krzemu. Czêsto porównuje siê go z pokrewnymi materia³ami: z krzemem monokrystalicznym oraz z krzemem amorficznym. Na okre¶lenie krzemu polikrystalicznego stosuje siê te¿ skrót p-Si.
Krzem polikrystaliczny stosowany jest w wysokiej jako¶ci ekranach LCD i OLED, zw³aszcza w niedu¿ych ekranach do urz±dzeñ przeno¶nych, takich jak smartfony. LTPS s³u¿y do wykonania warstwy steruj±cej (backplane). W porównaniu z krzemem amorficznym (a-Si) powszechnie stosowanym do produkcji ekranów LCD, krzem polikrystaliczny ma znacznie lepsz± przewodno¶æ. Krzem polikrystaliczny pozwala nie tylko na wykonanie tranzystorów TFT steruj±cych pikselami matrycy, ale tak¿e na wykonanie na jednej tafli wraz z ekranem dodatkowych uk³adów steruj±cych w technice cienkowarstwowej. Lepsze w³a¶ciwo¶ci p-Si w porównaniu z a-Si pozwalaj± na produkcjê ekranów o wy¿szej rozdzielczo¶ci. LTPS pozwala na lepsze procentowo wykorzystanie powierzchni ekranu LCD dla efektywnego promieniowania ¶wiat³a przez piksele.
G³ówn± metod± krystalizacji krzemu stosowan± w produkcji ekranów jest laserowe wy¿arzanie. W tej technice laser jest wykorzystywany do kontrolowanego podgrzewania krzemu amorficznego bez topienia podk³adu. W tym procesie struktura zmienia siê z amorficznej na polikrystaliczn± w trakcie sch³adzania podgrzanego laserem krzemu. Istniej± ró¿ne warianty techniki wy¿arzania laserowego. S± te¿ metody krystalizacji bez lasera. Jedna z nich bazuje na podgrzewaniu ca³ej tafli do temperatury kilkuset stopni (solid phase crystallization).
LTPS ma dwie zasadnicze wady. Jest dro¿szy od technologii bazuj±cej na krzemie amorficznym. Poza tym problemów nastrêcza konstrukcja urz±dzeñ krystalizacyjnych zdolnych do obróbki tafli o du¿ych rozmiarach.
Krzem polikrystaliczny ma te¿ inne zastosowania, na przyk³ad przy produkcji podzespo³ów elektronicznych i ogniw s³onecznych.