IGZO to okre¶lenie pó³przewodnikowego tlenku (ang. indium gallium zinc oxide - Ind, Gal, Cynk, Tlen), który jest stosowany w produkcji ekranów LCD, a tak¿e w produkcji ekranów OLED.
Z IGZO wykonuje siê tranzystory cienkowarstwowe steruj±ce pikselami ekranu LCD. IGZO to trzeci materia³, który zosta³ wykorzystany do tego celu w masowej produkcji. Przed wprowadzeniem IGZO, do produkcji TFT w ekranach stosowany by³ najczê¶ciej krzem amorficzny (a-Si) oraz na mniejsz± skalê krzem polikrystaliczny (p-Si, inaczej poly-Si, inaczej LTPS).
IGZO charakteryzuje siê lepszymi parametrami technicznymi ni¿ a-Si, w szczególno¶ci zapewnia wy¿sz± mobilno¶æ no¶ników, choæ nie dorównuje w tym wzglêdzie LTPS. W porównaniu z a-Si, IGZO pozwala zmniejszyæ odsetek powierzchni ekranu zajêtej przez tranzystory cienkowarstwowe i uzyskaæ wiêkszy odsetek powierzchni przepuszczaj±cej ¶wiat³o. Podwy¿szona sprawno¶æ transmisji ¶wiat³a pozwala zmniejszyæ wymagan± moc pod¶wietlenia, lub alternatywnie uzyskaæ wy¿sz± rozdzielczo¶æ bez konieczno¶ci zwiêkszania mocy pod¶wietlenia. Oprócz tego IGZO zu¿ywa te¿ mniej energii (w porównaniu z a-Si) na samo sterowanie matrycy.
Wa¿n± zalet± IGZO jest aplikacja tego materia³u w postaci amorficznej. Pozwala to stosowaæ procesy produkcyjne podobne jak na liniach korzystaj±cych z a-Si.
Po wielu latach prób i eksperymentów prowadzonych w wielu o¶rodkach, pierwsza komercyjnie dzia³aj±ca linia produkcyjna wykorzystuj±ca IGZO zosta³a uruchomiona w marcu 2012 roku w fabryce Kameyama Plant No. 2 nale¿±cej do firmy Sharp.
Prowadzone s± te¿ prace nad krystaliczn± wersj± IGZO, o jeszcze lepszych parametrach ni¿ wersja amorficzna. Pierwsze informacje o badaniach krystalicznego IGZO opublikowa³a firma Sharp w czerwcu 2012. Zaprezentowano te¿ wówczas pierwsze prototypy bazuj±ce na krystalicznym IGZO. Badania te by³y prowadzone przez firmê Sharp we wspó³pracy z Semiconductor Energy Laboratory.